三星 电子推出zHBM技术，该内存可 3D直接堆叠在AI芯片上方。在AI智能体时代，三星提出愿景：将现有AI系统的响应 速度提升10倍以上。
当 地时间9月16日，三星美洲半导体事业部（DSA）内存产品企划负责人Kim Indong，在美国加州圣克拉拉会展中心举办的AI基础设施峰会发表主旨演讲，阐述AI存储 芯片领域的范式变革。
Kim Indong常务表示：“当前对话式AI系统，单 用户响应速度上限约为每秒100 token。面向即将到来的AI智能体时代，我们 目标实现跨越式突破，将速度提升至每秒1000 token。”
三 星表示，想 要实现这一 巨大性能提升，核心突破口就是zHBM。
除此之外，三星电子还公布了面向端侧AI市场、基于NAND闪存的3D存储方 案zNAND- O的技术路线图。
Ki m Indong称： “到2030年 ，不只是大型服务器，在AI工作站等 设备本地运行万亿参数超大 模型将会普及。如果完全依靠 D RAM搭建适配万亿 参数模型的内存，成本极高；而采用zNAND-O方案，仅需六分之一的成本就能实现。”
三星计划自2028年起，向客户大规模提供zNAND-O样品。Kim Indong补充道：“AI芯片竞争的核心 在于产品上市速度，我们有信心在 此方面为客户提供独一无二的价值。”
