9月2 0日，在2026世界制造 业大会上， 宣布第五 代技术平台 正式量产。

　　据介绍 ，长鑫科技将内存阵列有源 区半间 距做 到11.9 5纳米，存储器 电 容深宽比45：1，核心动能区高度 降至6762纳米，同时，第 五代工艺平台的存储密度有了大幅提升， 同 等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。 基于 该平台 打造的24GB LPD DR5X产品已经进入正 式量产， 全面进入国 产主流旗舰手机。